又稱江崎二極體,它是以隧道效應電流當作主要電流分量的晶體二極體。
隧道二極體是采用砷化鎵（GaAs）和銻化鎵（GaSb）等材料混合制
成的半導體二極體，其優點是開關特性好，速度快、工作頻率高；缺點
是熱穩定性較差。一般應用於某些開關電路或高頻振蕩等電路中。它的
工作符合發生隧道效應具備的三個條件：①費米能級位於導帶和滿帶內；
②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡並半導體P型區和N型
區中的空穴和電子在同一能級上有交疊之可能性。隧道二極體為雙端子有
源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；
而下標"V"代表"谷"。簡單地說,所謂"隧道效應"就是指粒子通過一個勢能大
於總能量的有限區域。這是一種量子力學現象， 按照經典力學是不可能出現的。
隧道二極體可以被應用於低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中
（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用於高速開關電路中。

基於重摻雜PN結隧道效應而制成的半導體兩端器件。隧道效應是1958年日本
江崎玲於奈在研究重摻雜鍺PN結時發現的，故隧道二極體又稱江崎二極體。
這一發現揭示了固體中電子隧道效應的物理原理，江崎為此而獲得諾貝爾獎金
物理學獎。隧道二極體通常是在重摻雜 N型（或 P型）的半導體片上用快速
合金工藝形成高摻雜的PN結而制成的；其摻雜濃度必須使PN結能帶圖中
費米能級進入N型區的導帶和P型區的價帶；PN結的厚度還必須足夠薄
（150埃左右），使電子能夠直接從N型層穿透PN結勢壘進入P型層。這樣的結又稱隧道結。

特點及應用

隧道二極體的最主要特點是它的正向電流－電壓特性具有負阻(見圖)。這種負阻是基於電子的
量子力學隧道效應，所以隧道二極體開關速度達皮秒量級,工作頻率高達100吉赫。
隧道二極體還具有小功耗和低噪聲等特點。隧道二極體可用於微波混頻、檢波
（這時應適當減輕摻雜，制成反向二極體），低噪聲放大、振蕩等。由於功耗小，
所以適用於衛星微波設備。還可用於超高速開關邏輯電路、觸發器和存儲電路等。

研究不同半導體材料制成的隧道二極體的基本特性，還能深入了解半導體中的能帶結構和一些與量
子力學有關的物理問題。